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国产高性能碳化硅长晶设备介绍

碳化硅长晶设备






      前   述：碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件。下游应用领域包括智能电网、新能源汽车、光伏风电、5G通信等，在功率器件领域有碳化硅二极管、MOSFET等已经开始商业化应用。近几年来我国在第三半导体碳化硅晶体长晶技术方面不断取得突破已基本达到国外先进水平，整体行业将迎来中国式高效率高速度发展模式。


   6英寸感应式长晶炉（Induction Crystal Furnace）




SiC Crystal Growth Equipment

    

   6/8英寸电阻式长晶炉（Resistance Crystal Furnace）

   备    注：本公司可同时提供高纯度粉料及相关热场耗材，同时提供碳化硅衬底、籽晶、试验片和配套设备贸易。详细参数请致电与我司联系！