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高纯度碳化硅SiC产品介绍

High-purity Silicon carbide

    

高纯度碳化硅系列产品

 

     前   述：碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件。下游应用领域包括智能电网、新能源汽车、光伏风电、5G通信等，在功率器件领域有碳化硅二极管、MOSFET等已经开始商业化应用。作为碳化硅晶锭的长晶基础原材料也尤其重要，高品质、高纯度、高稳定的碳化硅粉料才可以生长出品质优越且质量稳定的大尺寸晶锭从而生产出高品质晶片衬底。

    

   高纯度碳化硅粉料-产品纯度3N-6N




HP-SiC
HP-SiC

高纯度碳化硅


High-purity Silicon Carbide

纯    度：3N-6N（SiC含量：99.99998%）         
粒    径：2mm-5mm、0.8mm-2mm、0.4mm-0.8mm、0.2mm-0.4mm、0.2mm-0

结    构：3N-晶体结构为3C (β-SiC）属于立方碳化硅，5N-晶体结构为6H，6N-晶体结构为4H。


特    点：纯度高、颗粒规格丰富、品质稳定，3C-SiC碳化硅微粉具体吸波性能好、晶型完整、导热系数高，电子迁移率、                  击穿电场强度、相对介电常数等电学性能各向同性等特点。

用    途：主要应用于制造单晶碳化硅晶体原料、粑材及其它电子、磨具及特殊陶瓷部件等。

高 纯 度 粉 料 实 拍 图 片 展 示


针状-除碳料


颗粒状-除碳料

针状-未除碳料